智能型手机今年成长率将达28.6%

　　DRAM产业过去十几年来，几乎每三年为一景气循环周期，以DRAM厂的营业获利率分析，2001至2003年DRAM产业连续三年亏损，2004至2006年转为连续三年获利，2007至2009年又落入连续三年亏损的循环。今年，DRAM厂终于摆脱三年亏损，进入获利循环开始，由于全球经济景气复苏，Window 7 带动消费者、企业换机潮，加上资本支出成长有限，制程转进出现瓶颈，该产业可望再走向正向循环，未来三年连续获利可期。
　　去年下半年开始，全球景气逐渐复苏，国际货币基金(IMF)上调今年全球GDP预测，从3.1%上修至3.9%；世界银行(World Bank)最新预测则指出，今年中国GDP成长率将超过去年的8.7%，达到9.5%，显示今年中国仍为全球性经济成长的动能。
　　根据消费者信心指数显示，欧洲及日本最坏的经济谷底已经出现，经济亦已进入缓步复苏。同时，各国亦在今年极力降低失业率，透过各项方案增加就业机会，因此经济复苏及失业率下降，可望带动未来几年计算机销售成长率。
　　此外，微软(Microsoft)在2007年推出的Windows Vista未能成功带动换机潮，但在去年10月推出Windows 7，可望在带动消费者及企业PC换机潮。DRAMeXchange预计，在未来三年每年PC出货量成长率将达12%~17%。
　　手机市场方面，DRAMeXchange预估智能型手机今年成长率将达28.6%。智能型手机出货量成长，激励Mobile DRAM需求大幅成长。去年智能型手机搭载的Mobile DRAM主流容量为128MB，今年新款智能型手机，搭载的mobile DRAM容量高达256MB。
　　而下世代的智能型手机搭载的Mobile DRAM规格再度提高至512MB，出货量及搭载量皆大幅成长的情况下，预计Mobile DRAM为今年DRAM需求成长另一强大动能。
　　苹果计算机(Apple)的iPad也是今年Mobile DRAM需求成长的另一动能；该产品预计今年4月3日在美国开卖，预估今年将热卖750万台，所搭载Mobile DRAM容量至少为512MB，对行动内存总需求成长将再往上提升，也促使三星、海力士、尔必达等DRAM厂大幅增加Mobile DRAM的投片量，排挤到标准型DRAM的产能。
　　2008年全球经济下半年面临金融风暴强袭，导致消费性需求急冻，DRAM厂商均严重亏损，大部份DRAM厂商亦在2008第四季开始减产以及8吋厂房去化。今年首季，虽全球景气已逐渐复苏，DRAM厂商亦逐渐恢复产能；然而，目前八吋产能已几乎全面去化，全球DRAM产能仍较2008年第二季产能高峰减少20%。
　　DRAMeXchange表示，由于DRAM厂商新盖厂房需要2至3年时间才能设备移入，未来两年内新增的产能，除了先前已盖好厂房的三星将新增40K产能以及南科预计新增的15K产能外，未来两年难以大幅增加产能。
　　厂商在2008年第四季在金融风暴的冲击下，亏损大幅扩大，面临了营运资金短缺及无力偿还债务的危机，为求生存，各DRAM厂商皆大幅降低2009年资本支出。今年资本支出在DRAM厂商连续三年亏损下，能投入的金额也将有限。
　　目前DRAM厂商计划今年资本支出为83.6亿美金，虽已较去年成长93%然而与DRAM厂商历史资本支出相较，仍属较低水位，预计未来三年DRAM厂商在获利的状况下，资本支出将会稳健成长。 、
　　在制程转进设备方面，50nm以下制程皆需使用浸润式机台，除DRAM产业外，其余半导体厂商如台积电、联电亦需使用到浸润式机台，目前浸润式机台供货商ASML市占率高达9成以上，在满单的状况下，各DRAM厂商拿到浸润式机台时间大多具不确定性。也使DRAM厂在制程转进速度受限于机台取得时程而可能延后。
　　在制程转进方面，目前仅三星已量产4xnm，海力士及尔必达则计划今年第二季才量产4x nm；DRAMeXchange认为，一旦制程转进稍有不顺，将造成今年大缺货。明年各DRAM厂商即使顺利转进40nm制程，然而进入4xnm以下制程难度加大，投资也要再增加。
　　预估2011~2012年，在产能扩充有限、40nm以下制程转进不易下，年DRAM位成长将最高达40%左右。