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W79系列W79E226芯片解密技术

  在成功突破W79全系列单片机解密的基础上,深圳芯片解密研究所科技长期专业提供W79E226芯片解密/单片机解密等W79系列芯片解密服务。依靠我们成熟的现成解密方案,丰富的实际解密经验以及对于解密过程的严格技术控制,针对客户的具体解密需求,我们能够最大限度确保解密的成功率和可靠性,且可最大限度降低解密周期及解密成本,为客户的总体项目开发提供最值得信赖的技术支持。在W79E226是一个快速,具有重新设计的处理器核心,消除浪费和内存时钟周期8051/52-compatible微控制器。通常,W79E226执行指令1.5至3倍的速度比传统五十二分之八千○五十一认为,在不同的指令类型,整体性能大约2.5倍的速度在同一晶体更好。因此,随着全静态CMOS设计,W79E226可以完成一个较低的时钟速度相同的吞吐量,降低功耗。
  该W79E226提供256字节的片内RAM; 2 - KB的NVM数据Flash EPROM的2 - KB的辅助记忆体; 4个8位双向可位寻址的I / O口;一个附加的4位端口P4和2位小五口,三个16位定时器/计数器;运动反馈模块的支持; 2个UART串行接口; 1的I2C通道的主/从机的能力; 1串行外设接口(SPI)通道,12通道8位的PWM死区时间和可配置8个10位ADC通道。这些外围设备都被支持20个中断源,4个优先级。
  该W79E226还包含一个32 - KB的闪存EPROM可更新其在一个辅助,4 KB闪存EPROM中装载机方案进行系统的内容。一旦内容被证实,它可以保护的安全性。
  全静态设计的8位4吨- 8051高达40MHz的CMOS微控制器。
  32 - KB的在系统可编程闪存EPROM(AP的闪存EPROM)。
  4 - KB的引导程序(劳工处闪存EPROM)的辅助ROM。用户可以选择重新启动从LD通过拉低Flash EPROM的在任或P3.6和P3.7 P4.3位在外部复位。
  2 KB的辅助记忆体,软件选择,由MOVX指令访问。
  2 KB的客户使用的存储数据的NVM数据Flash EPROM。
  256便签字节的RAM。
  4个8位双向端口,端口0有内部上拉电阻由软件启用。
  多用途的I / O端口4(4位为48L LQFP封装; 2位为44L PLCC封装)和芯片选择(CS)和引导作用。
  两个位双向端口5。
  3个16位定时器。
  1个16位定时器3的运动反馈模块。
  运动反馈模块 - 解码器和3的QEI输入捕获。
  八12位PWM通道:
  ?互补搭配可编程死区时间插入输出。
  ?三种模式:边缘对齐,居中对齐,并一枪。
  ?输出直流无刷电机应用覆盖控制。
  10位ADC,带有8通道输入。
  两个增强型全双工UART,并具有帧,错误检测和自动地址识别。
  同一个通道的I2C主/从功能。
  一个通道的SPI主/从功能。
  软件可编程访问周期对外部RAM /外围设备。
  20四个优先级中断源。
  以上我们针对W79E226芯片的主要内部特征进行了简单介绍,以帮助广大客户在芯片解密项目合作过程中进行技术理解和沟通,也方便技术工程师对芯片内部结构及其加解密性质进行分析,有W79E226芯片解密/单片机解密灯W79系列单片机解密需求者请与深圳芯片解密研究所科技联系咨询更多解密详情
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