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NEC高难度芯片_UPD78F1503A芯片解密

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  最小指令执行时间可改由高速(0.05靤:@ 20 MHz的高速系统时钟),以超低速(61靤:@ 32.768 kHz的时钟子系统操作)
  通用寄存器:8位× 32个寄存器(8位× 8 × 4寄存器银行)
  在芯片内部高速时钟振荡
  20 MHz内部高速S振荡时钟:20 MHz的± 2.4%
  8 MHz的内部高速S振荡时钟:8兆赫± 2%(当VDD的电压≤1.8 <2.7 V)的
  1 MHz的内部高速S振荡时钟:1兆赫± 13%
  片上单电源闪存(禁止与芯片擦除/块擦除/写入功能)
  自编程(引导交换功能/闪光屏蔽窗口功能)
  片上调试功能
  78K0R/LF3:2通道
  78K0R/LG3,78K0R/LH3:3通道
  片上参考电压(2.0 V/2.5五)
  DMA控制器:2通道
  电源电压:VDD = 1.8至5.5 V
  工作环境温度条件:TA = 40至+85 ° C
  以上就是对UPD78F1503A芯片主要工作性能的描述,供广大有需求的客户参考与借鉴。
  UPD78F1503A芯片解密技术合作,目前国内唯一解密研究机构具有此能力,致此在NEC系列IC解密领域的中成功率颇高.热忱欢迎您的来电/来涵.
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